دانلود تحقیق با موضوع ساختارهای دور آلاییده،
در قالب word و در 151 صفحه، قابل ویرایش.
فهرست:
فصل اول : ساختارهاي دورآلاييده
مقدمه
1-1 نيمه رسانا
1-2 نيمه رسانا با گذار مستقيم و غير مستقيم
1-3 جرم موثر
1-4 نيمه رساناي ذاتي
1-5 نيمه رساناي غير ذاتي و آلايش
1-6 نيمه رساناهاي Si و Ge
1-7 رشد بلور
1-7-1 رشد حجمي بلور
1-7-2 رشد رونشستي مواد
1-7-3 رونشستي فاز مايع
1-7-4 رونشستي فاز بخار
1-7-5 رونشستي پرتو مولکولي
1-8 ساختارهاي ناهمگون
1-9 توزيع حالتهاي انرژي الکترون‌ها در چاه کوانتومي
1-10 انواع آلايش
1-10-1 آلايش کپه¬اي
1-10-2 آلايش مدوله شده (دورآلاييدگي)
1-10-3 گاز الکتروني دوبعدي
1-10-4 گاز حفره¬اي دوبعدي
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهاي دور آلاييده
1-11-1 انواع ساختارهاي دورآلاييده به¬¬لحاظ ترتيب رشد لايه¬ها
1-11-2 انواع ساختار دور آلاييده به لحاظ نوع آلاييدگي ( n يا p )
1-11-3 انواع ساختار دور آلاييده دريچه¬دار
1-12 کاربرد ساختارهاي دور آلاييده
1-12-1 JFET
1-12-2 MESFET
1-12-3 MESFET پيوندگاه ناهمگون
فصل دوم : اتصال فلز نيمه رسانا (سد شاتکي)
مقدمه
2-1 شرط ايده آل و حالتهاي سطحي
2-2 لايه تهي
2-3 اثر شاتکي
2-4 مشخصه ارتفاع سد
2-4-1 تعريف عمومي و کلي از ارتفاع سد
2-4-2 اندازه گيري ارتفاع سد
2-4-3 اندازه گيري جريان – ولتاژ
2-4-4 اندازه گيري انرژي فعال سازي
2-4-5 اندازه گيري ولتاژ- ظرفيت
2-4-6 تنظيم ارتفاع سد
2-4-7 کاهش سد
2-4-8 افزايش سد
2-5 اتصالات يکسوساز .
2-6 سدهاي شاتکي نمونه
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده
مقدمه
3-1 ساختار دور آلاييده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si .
3-2 ساختار نوار ظرفيت ساختار دور آلاييده معکوسp-Si/SiGe/Si
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهاي دور آلاييده.
3-3-1 آلايش مدوله شده ايده¬آل
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالي سطحي حاملها
3-3-3 اثر بارهاي سطحي بر چگالي گاز حفره¬اي
3-4 روشهاي کنترل چگالي سطحي حاملها
3-4-1 تاثير تابش نور بر چگالي سطحي حاملها
3-4-2 تاثير ضخامت لايه پوششي بر چگالي سطحي حاملها
3-4-3 دريچه دار کردن ساختار دور آلاييده
3-5 ساختارهاي دورآلاييده معکوس p-Si/SiGe/Si با دريچه بالا
3-6 انتقال بار در ساختارهاي دورآلاييده معکوس با دريچه بالا
3-7 تاثير باياسهاي مختلف بر روي چگالي سطحي ¬حفره¬ها
3-8 ملاحظات تابع موج.
3-9 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي بي دريچه
3-10 وابستگي Zav به چگالي سطحي حاملها در ساختارهاي دريچه¬دار
فصل چهارم : نتايج محاسبات
مقدم
4-1 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده بي دريچه Si/SiGe/Si
4-1-1 محاسبات نظري ns برحسب Ls
4-1-2 محاسبات نظري ns برحسب NA
4-1-3 محاسبات نظري ns برحسب nc
4-1-4 محاسبات نظري کليه انرژيهاي دخيل برحسب Ls
4-2 محاسبات نظري ساختارهاي دورآلاييده دريچه¬دار Si/SiGe/Si
4-2-1 محاسبات نظري ns برحسب vg
4-2-2 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب مثبت
4-2-3 بررسي نمونه ها با nsur متغير و تابعي خطي از vg با شيب منفي
فصل پنجم : نتايج
5-1مقايسه سد شاتکي با ساختار دورآلاييده دريچه دار p-Si/SiGe/Si
5-2 بررسي نمودارهاي مربوط به چهار نمونه
پيوست
چکيده انگليسي (Abstract)
منابع
بخشی از متن تحقیق:
امروزه قطعات جديدي در دست تهيه¬اند که از لايه¬هاي نازک متوالي نيمه¬رساناهاي مختلف تشکيل مي شوند . هر لايه داراي ضخامت مشخصي است که به دقت مورد کنترل قرار مي گيرد و از مرتبه 10 نانومتر است . اينها ساختارهاي ناهمگون ناميده مي شوند . خواص الکتروني لايه¬هاي بسيار نازک را مي توان با بررسي ساده¬اي که برخي از اصول اساسي فيزيک کوانتومي را نشان مي دهد به دست آورد [31] .
در اين فصل ابتدا به بررسي خواص نيمه¬رسانا مي پردازيم سپس با نيمه¬رساناهاي سيليکان و ژرمانيوم آشنا مي شويم و بعد از آن انواع روشهاي رشد رونشستي و ساختارهاي ناهمگون را مورد بررسي قرار مي دهيم و همچنين ساختارهاي دورآلاييده را بررسي مي کنيم و در آخر نيز به بررسي کاربرد ساختارهاي دورآلاييده و ترانزيستورهاي اثر ميداني مي پردازيم.
1-1 نيمه¬رسانا:
در مدل الکترون مستقل الکترون¬هاي نوار کاملاً پر هيچ جرياني را حمل نمي¬کنند اين يک روش اساسي براي تشخيص عايق¬ها و فلزات از هم است . در حالت زمينه يک عايق تمام نوارها يا کاملاً پر يا کاملاً خالي هستند اما در حالت زمينه يک فلز حداقل يک نوار به طور جزئي پر است . روش ديگر تشخيص عايق¬ها و فلزات بحث گاف انرژي است گاف انرژي يعني فاصله بين بالاترين نوار پر و پايين¬ترين نوار خالي .
يک جامد با يک گاف انرژي در عايق خواهد بود. در نتيجه با گرم کردن عايق همچنانکه دماي آن افزايش مي¬يابد بعضي از الکترون¬ها به طور گرمايي تحريک شده و از گاف انرژي به سمت پايين¬ترين نوار غير اشغال گذار مي¬کنند . جاي خالي الکترون¬ها در نوار ظرفيت را حفره مي¬نامند اين حفره¬ها ماهيتي مانند بار مثبت دارند در نتيجه در روند رسانش هم الکترون¬ها و هم حفره¬ها شرکت مي¬کنند . الکترون¬هاي برانگيخته شده در پايين¬ترين قسمت نوار رسانش قرار مي-گيرند در صورتيکه حفره¬ها در بالاترين قسمت نوار ظرفيت واقع مي¬شوند .
جامداتي که در عايق بوده اما داراي گاف انرژي به اندازه¬اي هستند که برانگيزش گرمايي منجر به مشاهده رسانشي در شود به عنوان نيمه¬رسانا شناخته مي¬شود .
ساده¬ترين عناصر نيمه رسانا از گروه چهارم جدول تناوبي هستند که به آنها نيمه¬رساناهاي تک عنصري مي¬گويند سيليکون و ژرمانيوم دو عنصر مهم نيمه¬رساناها هستند . علاوه بر عناصر نيمه-رسانا ترکيبات گوناگون نيمه¬رسانا هم وجود دارد . GaAsيک نمونه نيمه¬رساناهاي است
